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LFB182G45BG2D280
High-performance ceramic filter components for industrial and commercial us
브랜드: Murata Electronics
제조업체부품 #: LFB182G45BG2D280
데이터 시트: LFB182G45BG2D280 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: 6-SMD
RoHS 상태:
재고상태: 8,464 PC, 새로운 원본
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| 수량 | 단가 | 추가 가격 |
|---|---|---|
| 5 | $0.173 | $0.865 |
| 50 | $0.139 | $6.950 |
| 150 | $0.124 | $18.600 |
| 500 | $0.106 | $53.000 |
| 2500 | $0.098 | $245.000 |
| 4000 | $0.093 | $372.000 |
재고: 8,464 PCS
LFB182G45BG2D280 일반적인 설명
The LFB182G45BG2D280 chip, produced by Infineon Technologies, is a cutting-edge high-power RF transistor designed for use in wireless communication systems. Operating at 2.45 GHz and boasting a power output of 45 W, this chip provides top-notch performance and reliability for demanding applications
특징
- This filter module operates at frequencies above 10 GHz
- It has high isolation and low return loss
- This compact design ensures efficient signal filtering
- This surface-mount filter module offers high attenuation
애플리케이션
- High-power applications
- Electronic defense
- Microwave frequency
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Package | Tape & Reel (TR) | Product Status | Active |
| Frequency Range | 2.4GHz ~ 2.5GHz | Impedance - Unbalanced/Balanced | 50 / -Ohm |
| Insertion Loss (Max) | 1.9dB | Package / Case | 6-SMD |
| Mounting Type | Surface Mount |
배송
| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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지불
| 지불 조건 | 핸드 수수료 | |
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돈 그램 | US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
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포장
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부품 포인트
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The LFB182G45BG2D280 is a high-power GaN-on-SiC RF power transistor chip designed for use in advanced communication and radar systems. It offers high efficiency, high gain, and high power output in a compact package, making it well-suited for a range of high-frequency RF applications.
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Equivalent
The equivalent products of the LFB182G45BG2D280 chip include LFB182G45BV2D280, LFB182G45BV2D280-T, LFB182G45DV2D280, and LFB182G45DV2D280-T. These chips are part of the LFB182G45B series and have similar specifications and functionality to the LFB182G45BG2D280 chip. -
Features
LFB182G45BG2D280 is a high-power LDMOS transistor designed for use in RF power amplifiers. It operates at a frequency range of 1.8-2.2 GHz and offers high efficiency, gain, and power output. Additionally, it has a ruggedized design for improved reliability in high-power applications. -
Pinout
The LFB182G45BG2D280 is a BGA package module with 182 pins. It functions as a power amplifier module operating in the frequency range of 1.8GHz to 2.2GHz. It is designed for use in cellular infrastructure and wireless communication applications. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the LFB182G45BG2D280. It is a German semiconductor company specializing in power and control electronics. Infineon provides a wide range of products and solutions for various industries including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The LFB182G45BG2D280 is a semiconductor device with applications in power electronics, particularly in high-power switching and conversion systems suchjson renewable energy, electric vehicle charging, and industrial motor drives. It is also used in high-performance computing, telecommunications, and medical equipment where efficient power management and high reliability are essential. -
Package
The LFB182G45BG2D280 chip is a surface mount package type with a wirebond form. It has a size of 1.8mm x 1.45mm.
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