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ISL9R860PF2
Diode ISL9R860PF2 from ON Semi, 600V 8A, TO-220F 2-Pin
브랜드: Onsemi
제조업체부품 #: ISL9R860PF2
데이터 시트: ISL9R860PF2 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-220F
RoHS 상태:
재고상태: 8,585 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single Diodes
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| 1 | $1.514 | $1.514 |
| 10 | $1.483 | $14.830 |
| 30 | $1.461 | $43.830 |
| 100 | $1.442 | $144.200 |
재고: 8,585 PCS
ISL9R860PF2 일반적인 설명
The ISL9R860PF2 is a high-performance diode that combines ultra-fast operation with a Stealth Diode design. With a voltage rating of 600V and a current rating of 8A, this diode is capable of delivering reliable performance in demanding applications. It features a TO-220F case style and has a maximum forward voltage of 2.4V. The diode can withstand a surge current of up to 100A and has a reverse recovery time of 77ns. At a current of 16A, the forward voltage is 2V, making the ISL9R860PF2 an excellent choice for applications that require fast switching and efficient power handling
특징
- Ultra-Fast Switching Time
- Low Power Consumption Design
- High Surge Current Capability
- RoHS Compliant for Environment
- High Reliability Rating
애플리케이션
- Trendy Bluetooth Headphones
- Smart Home Devices
- Colorful Stationery Sets
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Product Category | Diodes - General Purpose, Power, Switching | RoHS | Details |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-220F |
| Peak Reverse Voltage | 600 V | Max Surge Current | 100 A |
| If - Forward Current | 8 A | Configuration | Single |
| Recovery Time | 30 ns | Vf - Forward Voltage | 2.4 V |
| Ir - Reverse Current | 100 uA | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | ISL9R860PF2 |
| Brand | onsemi / Fairchild | Height | 9.19 mm |
| Length | 10.16 mm | Product Type | Diodes - General Purpose, Power, Switching |
| Factory Pack Quantity | 1000 | Subcategory | Diodes & Rectifiers |
| Tradename | STEALTH | Type | Switching Diode |
| Vr - Reverse Voltage | 600 V | Width | 4.7 mm |
| Part # Aliases | ISL9R860PF2_NL |
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부품 포인트
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The ISL9R860PF2 is a power MOSFET chip designed for medical imaging equipment and industrial applications. It features a high power density and low RDS(on) for improved performance and efficiency. The chip has a voltage rating of 800V and a current rating of 16A, making it suitable for a wide range of high-power applications.
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Equivalent
The equivalent products of the ISL9R860PF2 chip include the STP65NF06, FQP30N06L, and IRFZ44N. These chips are all power MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics. -
Features
Features of ISL9R860PF2 include a P-channel MOSFET with low on-resistance, high input voltage protection, a high Side Dual MOSFET Driver, and a wide operating temperature range. It is ideal for use in automotive and industrial applications requiring high power and efficiency. -
Pinout
The ISL9R860PF2 is a 800V, 3.3A, 4-terminal Integrated Schottky Diode. It is available in an eSeries TO-263 Surface Mount package. It has a pin count of 4 terminals, with the functions of 2 Schottky diodes and 2 Cathodes. -
Manufacturer
ISL9R860PF2 is manufactured by Renesas Electronics Corporation. Renesas is a Japanese semiconductor company that provides innovative solutions for a broad range of applications in various sectors including automotive, industrial, and consumer electronics. They specialize in microcontrollers, system-on-chips, analog and power devices, and more. -
Application Field
ISL9R860PF2 is a high-performance MOSFET with low on-state resistance suitable for use in power management applications such as motor control, DC/DC converters, and LED lighting. Its features make it ideal for battery-powered devices and automotive electronics, where efficiency and reliability are crucial. -
Package
The ISL9R860PF2 chip is available in a TO-220 Full-Pak package type. It is in a surface mount form with a size of 10.67mm x 4.83mm x 20.5mm.
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