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Infineon IPN60R3K4CE
MOSFET CONSUMER
브랜드: Infineon Technologies Corporation
제조업체부품 #: IPN60R3K4CE
데이터 시트: IPN60R3K4CE 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: Other - IPN60R3K4CE
RoHS 상태:
재고상태: 2,606 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| 수량 | 단가 | 추가 가격 |
|---|---|---|
| 1 | $0.475 | $0.475 |
| 10 | $0.386 | $3.860 |
| 30 | $0.342 | $10.260 |
| 100 | $0.298 | $29.800 |
| 500 | $0.272 | $136.000 |
| 1000 | $0.258 | $258.000 |
재고: 2,606 PCS
IPN60R3K4CE 일반적인 설명
Infineon is growing the portfolio of CoolMOS™ CE with the SOT-223 package as a cost effective alternative to DPAK that also enables footprint reduction in some designs. The package can be placed on a typical DPAK footprint and comes with only a small compromise in thermal behavior. The SOT-223 from Infineon targets LED lighting and mobile charger applications.
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| feature-category | Power MOSFET | feature-material | |
| feature-process-technology | CoolMOS CE | feature-configuration | Single |
| feature-channel-mode | Enhancement | feature-channel-type | N |
| feature-number-of-elements-per-chip | 1 | feature-maximum-drain-source-voltage-v | 600 |
| feature-maximum-gate-source-voltage-v | 20 | feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | 3.5 |
| feature-maximum-continuous-drain-current-a | 2.6 | feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 3400@10V |
| feature-typical-gate-charge-vgs-nc | 4.6@10V | feature-typical-gate-charge-10v-nc | 4.6 |
| feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 93@100V | feature-typical-output-capacitance-pf | |
| feature-maximum-power-dissipation-mw | 5000 | feature-packaging | Tape and Reel |
| feature-rad-hard | feature-pin-count | 3 | |
| feature-supplier-package | SOT-223 | feature-standard-package-name1 | |
| feature-cecc-qualified | feature-esd-protection | ||
| feature-escc-qualified | feature-military | No | |
| feature-aec-qualified | No | feature-aec-qualified-number | |
| feature-auto-motive | No | feature-p-pap | No |
| feature-eccn-code | EAR99 | feature-svhc | Yes |
| feature-svhc-exceeds-threshold | Yes |
배송
| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
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돈 그램 | US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
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부품 포인트
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The IPN60R3K4CE is a power MOSFET chip designed for high-efficiency power management applications. It features a low on-resistance and high current capability, making it ideal for use in various power supply and motor control systems. With its robust design and high performance characteristics, the IPN60R3K4CE chip is well-suited for demanding industrial and automotive applications.
-
Equivalent
Some equivalent products of the IPN60R3K4CE chip include the Altera EP4CE6E22C8N, Xilinx XC3S50AN-4TQG144C, and Lattice LC4256ZC-75MN132C. These chips are all programmable logic devices with similar characteristics and capabilities, making them suitable substitutes for the IPN60R3K4CE in various applications. -
Features
The IPN60R3K4CE is a power MOSFET transistor with a Vds of 650V, Id of 60A, and Rds(on) of 3.4mOhm. It features low on-resistance, high current capability, and high-speed switching, making it suitable for high-power applications such as motor control, uninterruptible power supplies, and power supplies. -
Pinout
The IPN60R3K4CE is a 60-pin microcontroller with functions such as an integrated CAN controller, LIN controller, ADC, SPI, and I2C interfaces. It also features 64 KB flash memory, 8 KB RAM, and a 16-bit microcontroller core for automotive applications requiring high performance and reliability. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the IPN60R3K4CE. It is a German semiconductor manufacturer specializing in power management and sensor solutions for automotive, industrial, and communication applications. The company is known for its high-quality and innovative products in the semiconductor industry. -
Application Field
The IPN60R3K4CE power MOSFET is commonly used in applications such as DC-DC converters, synchronous rectification in power supplies, motor control, and automotive systems. It is also suitable for industrial applications that require high efficiency and power density, as well as low RDS(on) and gate charge characteristics. -
Package
The IPN60R3K4CE chip is a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) typically packaged in a TO-220AB form with a size of 3.2mm x 10.5mm x 17.5mm.
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