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GA50JT12-247

Trans JFET N-CH 1200V 100A SiC 3-Pin(3+Tab) TO-247

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: GeneSiC Semiconductor

제조업체부품 #: GA50JT12-247

데이터 시트: GA50JT12-247 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-247-3

RoHS 상태:

재고상태: 8,253 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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GA50JT12-247 일반적인 설명

1200 V 100A (Tc) 583W (Tc) Through Hole TO-247AB

특징

  • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching,>200 kHz in resonant mode
  • Very low conduction and switching losses
  • HEXFRED™ antiparallel diodes with ultra- soft recovery
  • Industry standard package
  • UL approved
  • Generation 4 IGBT technology
  • Benefits
  • Increased operating efficiency
  • Direct mounting to heatsink
  • Performance optimized for power conversion: UPS, SMPS, Welding
  • Lower EMI, requires less snubbing

명세서

매개변수 매개변수
Package Tube Product Status Obsolete
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7209 pF @ 800 V Power Dissipation (Max) 583W (Tc)
Operating Temperature 175°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247AB

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