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FMMT723TA 48HRS

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Diodes Incorporated

제조업체부품 #: FMMT723TA

데이터 시트: FMMT723TA 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

RoHS 상태:

재고상태: 5,428 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FMMT723TA 일반적인 설명

TRANSISTOR, PNP, 100V, 1A, SOT23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-100V; Transition Frequency Typ ft:200MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:300; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)

특징

BVCEO > -100V

IC = -1A High Continuous Collector Current

ICM= -2.5A Peak Pulse Current

Low Saturation Voltage VCE(sat) < -330mV @ -1A

RCE(SAT) = 210m for a Low Equivalent On-Resistance

625mW Power Dissipation

hFE Characterized up to -1.5A for High Current Gain Hold-Up

Complementary NPN Type: FMMT624

Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3)

Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

PPAP Capable (Note 4)

애플리케이션

SWITCHING

명세서

매개변수 매개변수
Product Status Active Transistor Type PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 330mV @ 150mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 500mA, 10V Power - Max 625 mW
Frequency - Transition 200MHz Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package SOT-23-3

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