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FDN359AN

Name: FDN359AN
Rating: 4.5 (10 reviews)

MOSFET SSOT-3 N-CH 30V

브랜드: ONSEMI

제조업체부품 #: FDN359AN

데이터 시트: FDN359AN 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-23-3

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 6,393 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FDN359AN 일반적인 설명

This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using an advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

특징

2.7 A, 30 V. R_DS(ON) = 0.046 Ω @ V_GS = 10 V, R_DS(ON) = 0.060 Ω @ V_GS = 4.5 V.
Very Fast Switching
Low Gate Charge (5nC typical).
High Power Version of Industry Standard SOT-23 Package. Identical Pin-Out to SOT-23 with 30% Higher Power Handling Capability

애플리케이션

This product is general usage and suitable for many different applications.
Battery Powered Circuits

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Source Content uid	FDN359AN	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Ihs Manufacturer	ONSEMI
Package Description	SUPERSOT-3	Manufacturer Package Code	527AG
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	4 Weeks	Samacsys Manufacturer	onsemi
Additional Feature	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	30 V	Drain Current-Max (ID)	2.7 A
Drain-source On Resistance-Max	0.046 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PDSO-G3	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Operating Temperature-Min	-55 °C
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY	Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	0.5 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	Matte Tin (Sn) - annealed	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING

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부품 포인트

The FDN359AN is a power MOSFET chip designed for low voltage, high-speed applications. It features a 40V maximum drain-source voltage and a low on-resistance of 0.115 ohms. The chip is commonly used in power management, motor control, and battery protection applications.
Equivalent

Equivalent products to the FDN359AN chip include the FDN359N, FDN340P, and BSS138. These chips are all N-channel MOSFET transistors commonly used in low-voltage applications like load switching and battery management. Always refer to datasheets for specific details and compatibility.
Features

1. N-channel MOSFET 2. Enhancement mode 3. Compact and high-performance design 4. Low on-resistance 5. Fast switching speed 6. Reliable and durable 7. Suitable for various applications such as power management and motor control.
Pinout

The FDN359AN is a MOSFET transistor. It has 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). It's commonly used for switching applications in low-voltage circuits. The pinout and function are typically represented as G-D-S.
Manufacturer

The FDN359AN is a MOSFET transistor manufactured by Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a company that produces semiconductor technologies for a variety of industries including automotive, consumer electronics, data communications, and industrial applications. They are known for their expertise in power management and packaging technologies. Fairchild Semiconductor was founded in 1957 and is headquartered in San Jose, California.
Application Field

The FDN359AN is commonly used as a power switch in applications like battery management systems, portable devices, and load switching circuits. Its low on-resistance and small package make it suitable for space-constrained designs. Additionally, it finds utility in power management for mobile devices and consumer electronics due to its efficiency and compactness.
Package

The FDN359AN chip is available in a surface mount package type, specifically a SOIC-8 form. The size of the chip is 4.90mm x 3.91mm x 1.50mm.