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MICROSEMI APT10045B2FLLG 48HRS

Trans MOSFET N-CH 1KV 23A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: MICROSEMI

제조업체부품 #: APT10045B2FLLG

데이터 시트: APT10045B2FLLG 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: T-MAX™ [B2]

RoHS 상태:

재고상태: 9,967 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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APT10045B2FLLG 일반적인 설명

Power MOS 8™ is a family of high speed, high voltage (500-1200 V) N-channel switch-mode power transistors with lower EMI characteristics and lower cost compared to previous generation devices. These MOSFETs / FREDFETs have been optimized for both hard and soft switching in high frequency, high voltage applications rated above 500 W.
The Power MOS 8™ series is a result of extensive research into quiet switching. Input and reverse transfer capacitance values as well as their ratio were set at specific values to achieve quiet switching with minimal switching loss. The Power MOS 8™ series of devices are inherently quiet switching, stable when connected in parallel, very efficient, and lower cost than previous
generations.

Power MOS 7® is a family of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON)and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses along with exceptionally fast switching speeds.

Power MOS V® can still provide the best trade-off between performance and cost in some applications. Power MOS V® utilizes a low resistance aluminum metal gate structure. This allows for faster gate signal propagation than is possible with conventional polysilicon gate structures. The result is extremely low internal chip equivalent gate resistances (EGR) that are up to an order of
magnitude lower than competitive devices which enables uniform high speed switching across the entire chip.

Body Diode Options
MOSFETs and FREDFETs are available in all voltage ratings. A FREDFET is a MOSFET with a faster recovery intrinsic body diode. This results in improved reliability in ZVS circuits due to shorter minority carrier lifetime and increased commutation dv/dt ruggedness. If a fast recovery body diode is not needed, MOSFET versions are available.

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